本发明公开了一种导模法生长β相氧化镓单晶的原料处理方法。步骤是：1、称取Ga2O3多晶粉料放入装有带缝模具的坩埚中；2、将坩埚放入生长炉中并安装籽晶；3、抽真空后充入CO2气体，进行两次升温；4、缓慢降低籽晶，待籽晶底部熔化后，向上提拉籽晶，并且降温，生长β相氧化镓多晶；5、待生长完毕，将晶体提拉出至模具上方，对炉体进行降温；6、将炉内CO2气体放出至常压，取出β相氧化镓多晶；7、将β相氧化镓多晶料放入单晶生长坩埚中，进行β相氧化镓单晶生长。采用本发明后消除了大量空洞，提高了晶体质量；增加了单晶可利用率，每炉次成本降低了10%~20%；单晶成品率提高了10%~15%。