Invention Grant
- Patent Title: 通过超导体中的磁场进行的量子位调谐
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Application No.: CN201980076405.4Application Date: 2019-11-20
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Publication No.: CN113168579BPublication Date: 2025-05-02
- Inventor: A·弗里斯齐 , H·巴罗斯基 , M·布林克
- Applicant: 国际商业机器公司
- Applicant Address: 美国纽约
- Assignee: 国际商业机器公司
- Current Assignee: 国际商业机器公司
- Current Assignee Address: 美国纽约
- Agency: 中国贸促会专利商标事务所有限公司
- Agent 冯雯
- Priority: 16/200,116 20181126 US
- International Application: PCT/EP2019/081933 2019.11.20
- International Announcement: WO2020/109106 EN 2020.06.04
- Date entered country: 2021-05-20
- Main IPC: G06N10/00
- IPC: G06N10/00
Abstract:
一种用于量子位调谐的方法的实施例包括通过第一层的一部分产生第一磁场，该第一层包括一种在低温温度范围内展现超导性的材料，该第一层的该部分高于临界温度。在实施例中，该方法包括将第一层的该部分至少冷却至临界温度。在实施例中，该方法包括响应于将第一层的该部分至少冷却至临界温度而产生第二磁场，该第二磁场与量子处理器芯片的量子位磁性地相互作用，这样使得该第一层的第一磁通量通过第一频移值引起该量子位的第一谐振频率的第一变化。
Public/Granted literature
- CN113168579A 通过超导体中的磁场进行的量子位调谐 Public/Granted day:2021-07-23
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