Invention Grant
- Patent Title: 一种碳碳化硅陶瓷靶坯的制备方法
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Application No.: CN202110454130.2Application Date: 2021-04-26
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Publication No.: CN113135756BPublication Date: 2022-08-16
- Inventor: 姚力军 , 王巨宝 , 王学泽 , 杨慧珍
- Applicant: 上海戎创铠迅特种材料有限公司
- Applicant Address: 上海市奉贤区肖塘路255弄10号1层
- Assignee: 上海戎创铠迅特种材料有限公司
- Current Assignee: 上海戎创铠迅特种材料有限公司
- Current Assignee Address: 上海市奉贤区肖塘路255弄10号1层
- Agency: 北京远智汇知识产权代理有限公司
- Agent 王岩
- Main IPC: C04B35/528
- IPC: C04B35/528 ; C04B35/565 ; C04B35/622 ; C04B35/645 ; B28B3/02

Abstract:
本发明涉及一种碳碳化硅陶瓷靶坯的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:将碳‑碳化硅复合粉装模进行冷压,之后依次进行热压烧结和降温,得到所述碳碳化硅陶瓷靶坯;所述碳‑碳化硅复合粉中颗粒的球形度为0.8‑1,粒度为120‑180μm;所述热压烧结包括依次进行的第一保温、第二保温和保温保压。通过对制备过程中原料球形度及配比的控制,并采用预先冷压的方式实现了高性能的靶坯的制备,制备得到的靶坯和背板焊接时可以实现良好的浸润,进而保证靶材和背板可以实现良好的焊接,焊接结合率高达99%及以上,致密度可达99%以上,成材率也可达98%以上。
Public/Granted literature
- CN113135756A 一种碳碳化硅陶瓷靶坯的制备方法 Public/Granted day:2021-07-20
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