一种碳碳化硅陶瓷靶坯的制备方法
Abstract:
本发明涉及一种碳碳化硅陶瓷靶坯的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:将碳‑碳化硅复合粉装模进行冷压,之后依次进行热压烧结和降温,得到所述碳碳化硅陶瓷靶坯;所述碳‑碳化硅复合粉中颗粒的球形度为0.8‑1,粒度为120‑180μm;所述热压烧结包括依次进行的第一保温、第二保温和保温保压。通过对制备过程中原料球形度及配比的控制,并采用预先冷压的方式实现了高性能的靶坯的制备,制备得到的靶坯和背板焊接时可以实现良好的浸润,进而保证靶材和背板可以实现良好的焊接,焊接结合率高达99%及以上,致密度可达99%以上,成材率也可达98%以上。
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