Invention Grant
- Patent Title: W波段E面波导双通带滤波器
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Application No.: CN202110415146.2Application Date: 2021-04-17
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Publication No.: CN113131109BPublication Date: 2022-01-04
- Inventor: 江云 , 王青平 , 黄昭宇 , 刘博源 , 吴微微 , 张晓发 , 王超 , 袁乃昌
- Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
- Applicant Address: 湖南省长沙市开福区德雅路109号
- Assignee: 中国人民解放军国防科技大学
- Current Assignee: 中国人民解放军国防科技大学
- Current Assignee Address: 湖南省长沙市开福区德雅路109号
- Agency: 国防科技大学专利服务中心
- Agent 王文惠
- Main IPC: H01P1/20
- IPC: H01P1/20

Abstract:
本发明涉及滤波器领域,具体是一种W波段E面波导双通带滤波器,其包括下腔体和上腔体,下腔体的上部与上腔体的下部连接,下腔体的上表面开设凹槽,凹槽内设置介质基板,介质基板由下至上依次为下接地层、介质和金属箔层,金属箔层有小型化直线型谐振单元、均匀阻抗谐振单元和上接地层。本发明的有益效果是,本发明将设置有小型化直线型谐振单元和均匀阻抗谐振单元的介质基板设置在下腔体和上腔体内,可以减小滤波器的体积和设计复杂度。本发明结构简单、设计简单、性能优异,具备很好的设计自由度,可以根据不同应用的需求,通过合理地调整各参数的大小来达到设计目的,可以被广泛应用于W波段多通道系统的各个领域之中。
Public/Granted literature
- CN113131109A W波段E面波导双通带滤波器 Public/Granted day:2021-07-16
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