Invention Grant
- Patent Title: 量子电路的局部优化方法和系统
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Application No.: CN201980062234.XApplication Date: 2019-09-05
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Publication No.: CN112740241BPublication Date: 2025-04-11
- Inventor: P·纳蒂昂
- Applicant: 国际商业机器公司
- Applicant Address: 美国纽约
- Assignee: 国际商业机器公司
- Current Assignee: 国际商业机器公司
- Current Assignee Address: 美国纽约
- Agency: 中国贸促会专利商标事务所有限公司
- Agent 冯雯
- Priority: 16/144,593 20180927 US
- International Application: PCT/EP2019/073745 2019.09.05
- International Announcement: WO2020/064294 EN 2020.04.02
- Date entered country: 2021-03-23
- Main IPC: G06N10/00
- IPC: G06N10/00 ; G06F8/41
Abstract:
提供了促进量子电路的局部优化的技术。在一个实例中，一种计算机实施的方法包括：通过可操作地耦联到处理器上的装置，根据在量子电路中的各个量子位对之间的量子门的各个数量将各个权重施加到与量子电路相对应的第一矩阵的多个矩阵元素；由该装置基于矩阵元素的各个权重将第一矩阵变换为第二矩阵；以及由该装置根据第二矩阵对量子电路中的对应量子位进行置换，从而得到置换的量子电路。
Public/Granted literature
- CN112740241A 量子电路的局部优化 Public/Granted day:2021-04-30
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