Invention Grant
- Patent Title: Pd/Ti双层吸气剂薄膜的制备方法和Pd/Ti双层吸气剂薄膜
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Application No.: CN202010968218.1Application Date: 2020-09-15
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Publication No.: CN112342501BPublication Date: 2022-01-04
- Inventor: 张志伟 , 何平 , 马永胜
- Applicant: 中国科学院高能物理研究所
- Applicant Address: 北京市石景山区玉泉路19号(乙)院
- Assignee: 中国科学院高能物理研究所
- Current Assignee: 中国科学院高能物理研究所
- Current Assignee Address: 北京市石景山区玉泉路19号(乙)院
- Agency: 北京清亦华知识产权代理事务所
- Agent 张大威
- Main IPC: C23C14/24
- IPC: C23C14/24 ; C23C14/16 ; C23C14/56

Abstract:
本申请提出一种Pd/Ti双层吸气剂薄膜的制备方法和Pd/Ti双层吸气剂薄膜,该方法包括在获取最低本底压强时进行蒸发镀膜,采用45A的第一沉积电流,在200摄氏度~300摄氏度之间的第一沉积温度,在60分钟~90分钟之内的第一沉积时间升华Ti金属丝,从而向被镀表面沉积Ti元素,形成底层薄膜;在完成向被镀表面沉积Ti元素的同时,采用45A的第二沉积电流,在100摄氏度~180摄氏度之间的第二沉积温度,20分钟的第二沉积时间升华Pd金属丝,从而向底层薄膜沉积Pd元素,在底层薄膜的表面形成表层薄膜。能够在制备Pd/Ti双层吸气剂薄膜时避免破坏超高真空,从而兼顾了超高真空的维持和Pd/Ti双层吸气剂薄膜的低激活温度,辅助提升制备设备的泵送速度,提升Pd/Ti双层吸气剂薄膜的制备效果。
Public/Granted literature
- CN112342501A Pd/Ti双层吸气剂薄膜的制备方法和Pd/Ti双层吸气剂薄膜 Public/Granted day:2021-02-09
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IPC分类: