Invention Grant
- Patent Title: 一种HINOC终端上线方法、装置、存储介质及终端
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Application No.: CN202010339445.8Application Date: 2020-04-26
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Publication No.: CN111614527BPublication Date: 2022-01-04
- Inventor: 张奭 , 赵辉 , 张冰 , 张诚
- Applicant: 北京瀚诺半导体科技有限公司 , 西安电子科技大学
- Applicant Address: 北京市海淀区海淀路46号资源西楼2505房间;
- Assignee: 北京瀚诺半导体科技有限公司,西安电子科技大学
- Current Assignee: 北京瀚诺半导体科技有限公司,西安电子科技大学
- Current Assignee Address: 北京市海淀区海淀路46号资源西楼2505房间;
- Agency: 北京辰权知识产权代理有限公司
- Agent 付婧
- Main IPC: H04L12/28
- IPC: H04L12/28

Abstract:
本发明公开了一种HINOC终端上线方法、装置、存储介质及终端,所述方法包括:控制新HM终端在第一HINOC信道和第二HINOC信道上并行完成上行功率控制、上行信道训练、调制格式信息的更新和发布的第一处理过程。因此,采用本申请实施例,由于引入了具备多信道性能、且能够在M个HINOC信道上均工作的新HM终端,最多支持新HM终端在N个HINOC信道上均上线的HB局端,控制新HM终端在第一HINOC信道和第二HINOC信道上并行完成上行功率控制、上行信道训练、调制格式信息的更新和发布的第一处理过程,从而最终使得新HM终端能够在M个HINOC信道上部分上线或全部上线。
Public/Granted literature
- CN111614527A 一种HINOC终端上线方法、装置、存储介质及终端 Public/Granted day:2020-09-01
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