Invention Grant
- Patent Title: 基于氧化铜/氧化镓纳米柱阵列pn结的柔性紫外探测器及其制备方法
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Application No.: CN202010299593.1Application Date: 2020-04-16
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Publication No.: CN111613691BPublication Date: 2022-01-04
- Inventor: 常裕鑫 , 王顺利 , 陶江伟 , 张丽滢 , 郭道友
- Applicant: 浙江理工大学
- Applicant Address: 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道2号大街928号
- Assignee: 浙江理工大学
- Current Assignee: 浙江理工大学
- Current Assignee Address: 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道2号大街928号
- Agency: 南京正联知识产权代理有限公司
- Agent 沈留兴
- Main IPC: H01L31/109
- IPC: H01L31/109 ; H01L31/0236 ; H01L31/032 ; H01L31/0352 ; H01L31/18 ; B82Y40/00

Abstract:
本发明涉及一种基于氧化铜/氧化镓纳米柱阵列pn结的柔性紫外探测器及制备方法,所述探测器包括依次设置的柔性铜片衬底,所述柔性铜片衬底的至少一侧具有氧化铜层,位于所述铜片衬底一侧的氧化铜层上设置β‑Ga2O3纳米柱阵列,位于所述β‑Ga2O3纳米柱阵列上的石墨烯/Ag纳米线复合层,位于所述石墨烯/Ag纳米线复合层上的Ag电极,所述氧化铜与所述β‑Ga2O3纳米柱阵列之间形成氧化铜/氧化镓纳米柱阵列pn结,所述柔性铜片衬底作为铜电极与所述Ag电极形成通路。本发明的紫外探测器,具有三维空间异质结界面结构和日盲特性,具有优异的化学和热稳定性,柔性可弯曲,耐压强,工作温度和功耗低,重复性良好,可定向识别波长位于日盲波段的200‑280nm的紫外光。
Public/Granted literature
- CN111613691A 基于氧化铜/氧化镓纳米柱阵列pn结的柔性紫外探测器及其制备方法 Public/Granted day:2020-09-01
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