本发明提供了一种硅片少子寿命的测试方法及装置，属于半导体技术领域。硅片少子寿命的测试装置，包括：激光发生器，用于发射激光；微波探针，用于发射微波；控制单元，用于根据待测试硅片的外延层厚度计算出角度α，并根据所述角度α调整所述硅片的位置、所述微波探针发射微波的角度以及所述激光发生器发射激光的角度，使得所述硅片与水平面之间的夹角为α，所述微波探针发射微波的方向与所述硅片垂直，所述激光发生器发射激光的方向与水平面垂直。本发明能够实现对不同厚度外延层的硅片进行少子寿命测试。