Invention Grant
- Patent Title: 带隙基准源
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Application No.: CN201811543594.5Application Date: 2018-12-17
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Publication No.: CN111324168BPublication Date: 2022-02-15
- Inventor: 张旭龙 , 刘雄
- Applicant: 比亚迪半导体股份有限公司
- Applicant Address: 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号
- Assignee: 比亚迪半导体股份有限公司
- Current Assignee: 比亚迪半导体股份有限公司
- Current Assignee Address: 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号
- Agency: 深圳众鼎专利商标代理事务所
- Agent 张美君
- Main IPC: G05F3/26
- IPC: G05F3/26

Abstract:
本公开涉及一种带隙基准源,该带隙基准源包括带隙基准源电源产生电路和带隙基准源核心电路,其中,所述带隙基准源电源产生电路用于产生所述带隙基准源核心电路工作所需的电源,所述带隙基准源核心电路用于产生基准电压,所述带隙基准源电源产生电路包括P型电流源、N型电流镜、P型电流镜、共源级电路和共栅极电路,其中:所述P型电流源产生的电流依次流经所述N型电流镜和所述P型电流镜后放大,所述共栅级电路与所述共源级电路构成负反馈环路并与所述P型电流镜的输出配合来为所述带隙基准源核心电路提供电源。
Public/Granted literature
- CN111324168A 带隙基准源 Public/Granted day:2020-06-23
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IPC分类: