Invention Grant
- Patent Title: 一种芯片的双重自毁装置
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Application No.: CN201911413777.XApplication Date: 2019-12-31
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Publication No.: CN111143901BPublication Date: 2022-02-15
- Inventor: 李波 , 谷志军 , 何璐 , 李鼎 , 陈永贵
- Applicant: 湖南博远翔电子科技有限公司
- Applicant Address: 湖南省长沙市长沙高新开发区麓谷大道627号海创科技工业园B-1栋加速器生产车间805房
- Assignee: 湖南博远翔电子科技有限公司
- Current Assignee: 湖南博远翔电子科技有限公司
- Current Assignee Address: 湖南省长沙市长沙高新开发区麓谷大道627号海创科技工业园B-1栋加速器生产车间805房
- Agency: 长沙大珂知识产权代理事务所
- Agent 伍志祥
- Main IPC: G06F21/78
- IPC: G06F21/78 ; B02C1/14 ; B02C23/00

Abstract:
本发明公开了一种芯片的双重自毁装置,包括固定位于芯片上方的施压块,所述施压块的下端设置用于引发芯片机械自毁的机械破坏尖点和用于引发芯片烧毁的自燃引点,本自毁装置中设置两种芯片自毁功能,施压弹簧被压缩后伸展,给施压块向下的压力,机械破坏尖点会压向芯片进行机械自毁,而自燃引点会砸开密封板,引燃室进入空气,同时自燃引点推动活动块,摩擦自燃头的摩擦面和摩擦壁相互摩擦起火,使得自燃底盒起火,芯片从底部被烧毁,本发明中可对芯片进行机械和烧毁双重自毁,保证芯片彻底被毁坏,双重自毁结构可同时启动,且不需要电能,结构简单且紧凑,自毁效果稳定。
Public/Granted literature
- CN111143901A 一种芯片的双重自毁装置 Public/Granted day:2020-05-12
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