在一些实施例中，本申请提供一种存储器器件。存储器器件包括第一电流镜晶体管、第一上拉读取使能晶体管、MTJ存储器单元、第一下拉读取使能晶体管、以及第一非线性电阻器件。MTJ存储器单元包括MTJ存储器元件和第一存取晶体管。第一非线性电阻器件串联耦合并且在第一上拉读取使能晶体管和第一电流镜晶体管之间。第一非线性电阻器件被配置为当施加第一电压时提供第一电阻，并且当施加小于第一电压的第二电压时提供大于第一电阻的第二电阻。根据本申请的实施例，提供了存储器器件和用于从MTJ存储器器件读取的方法。