Invention Grant
- Patent Title: 一种带有三维屏蔽层的低损耗差分电极
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Application No.: CN201911377153.7Application Date: 2019-12-27
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Publication No.: CN111065254BPublication Date: 2022-02-15
- Inventor: 李淼峰 , 肖希 , 王磊 , 张宇光
- Applicant: 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
- Applicant Address: 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号;
- Assignee: 武汉邮电科学研究院有限公司,武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
- Current Assignee: 武汉邮电科学研究院有限公司,武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号;
- Agency: 武汉智权专利代理事务所
- Agent 唐勇
- Main IPC: H05K9/00
- IPC: H05K9/00 ; H01L23/552

Abstract:
本发明公开了一种带有三维屏蔽层的低损耗差分电极,涉及光通信器件领域,包括行波电极和屏蔽结构,所述行波电极的驱动形式为单端驱动形式或差分驱动形式;所述屏蔽结构包括两个侧面金属屏蔽层和设于所述行波电极顶端的顶面金属屏蔽层,两个侧面金属屏蔽层分别位于所述行波电极两侧,且所述顶面金属屏蔽层一端与一侧面金属屏蔽层的顶端相连,另一端与另一侧面金属屏蔽层的顶端相连,所述行波电极位于两个侧面金属屏蔽层之间,且与两个侧面金属屏蔽层间存在间隔。本发明结构简单,易于实现且成本低,具备抗干扰、抗串扰、散热能力强等优点,能够有效的实现电极信号的屏蔽和抗干扰,并与现有工艺兼容。
Public/Granted literature
- CN111065254A 一种带有三维屏蔽层的低损耗差分电极 Public/Granted day:2020-04-24
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