Invention Publication
- Patent Title: 高耦合分裂电抗器建模方法、装置、计算机设备及介质
- Patent Title (English): High-coupling split reactor modeling method and device, computer equipment and medium
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Application No.: CN201911155603.8Application Date: 2019-11-22
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Publication No.: CN110765713APublication Date: 2020-02-07
- Inventor: 王勇 , 莫文雄 , 刘俊翔 , 乔胜亚 , 朱璐 , 苏海博 , 李光茂 , 陈俊 , 黄慧红 , 袁召 , 陈立学 , 伍开建
- Applicant: 广州供电局有限公司 , 华中科技大学
- Applicant Address: 广东省广州市天河区天河南二路2号
- Assignee: 广州供电局有限公司,华中科技大学
- Current Assignee: 广州供电局有限公司,华中科技大学
- Current Assignee Address: 广东省广州市天河区天河南二路2号
- Agency: 广州华进联合专利商标代理有限公司
- Agent 石慧
- Main IPC: G06F30/3308
- IPC: G06F30/3308

Abstract:
本申请涉及一种高耦合分裂电抗器建模方法、装置、计算机设备及介质。高耦合分裂电抗器建模方法包括:建立理想耦合电抗器子模型;根据高耦合分裂电抗器的四个端口在预设频率范围内的频率特性参数,确定高耦合分裂电抗器的四阶导纳矩阵;确定理想耦合电抗器子模型的四阶导纳矩阵;根据高耦合分裂电抗器的四阶导纳矩阵与理想耦合电抗器子模型的四阶导纳矩阵的差,确定高频模块子模型的四阶导纳矩阵;根据高频模块子模型的四阶导纳矩阵,采用四端口π形等效电路,通过图像法拟合得到高频模块子模型;将高频模块子模型与理想耦合电抗器子模型并联,得到高耦合分裂电抗器模型。本申请提供的高耦合分裂电抗器建模方法精确的高。
Public/Granted literature
- CN110765713B 高耦合分裂电抗器建模方法、装置、计算机设备及介质 Public/Granted day:2023-05-30
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