Invention Grant
- Patent Title: 光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法
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Application No.: CN201780078858.1Application Date: 2017-12-18
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Publication No.: CN110100319BPublication Date: 2022-02-15
- Inventor: 法比安·科普 , 阿提拉·莫尔纳
- Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
- Applicant Address: 德国雷根斯堡
- Assignee: 欧司朗光电半导体有限公司
- Current Assignee: 欧司朗光电半导体有限公司
- Current Assignee Address: 德国雷根斯堡
- Agency: 北京集佳知识产权代理有限公司
- Agent 丁永凡; 张春水
- Priority: 102016124847.9 20161219 DE
- International Application: PCT/EP2017/083317 2017.12.18
- International Announcement: WO2018/114807 DE 2018.06.28
- Date entered country: 2019-06-19
- Main IPC: H01L33/38
- IPC: H01L33/38 ; H01L33/40

Abstract:
在一个实施方式中,光电子半导体芯片(1)包括在透光的衬底(3)上的半导体层序列(2),所述半导体层序列具有在第一半导体区域(21)和第二半导体区域(23)之间的有源层(22)。接触沟道(4)穿过有源层(22)延伸至第一半导体区域(21)中。第一电绝缘的镜层和第二电绝缘的镜层(51,53)设计用于反射在运行时在有源层(22)中产生的辐射。金属电流接片(6)安置在接触沟道(4)中并且设置用于沿着接触沟道(4)引导电流以及为第一半导体区域(21)通电。第一镜层(51)从接触沟道(4)起经过有源层(22)伸展至第二半导体区域(23)的背离衬底(3)的侧上。存在接触层(7),用于将电流直接注入到第一半导体区域(21)中并且与电流接片(6)直接接触。
Public/Granted literature
- CN110100319A 光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 Public/Granted day:2019-08-06
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IPC分类: