光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法
Abstract:
在一个实施方式中,光电子半导体芯片(1)包括在透光的衬底(3)上的半导体层序列(2),所述半导体层序列具有在第一半导体区域(21)和第二半导体区域(23)之间的有源层(22)。接触沟道(4)穿过有源层(22)延伸至第一半导体区域(21)中。第一电绝缘的镜层和第二电绝缘的镜层(51,53)设计用于反射在运行时在有源层(22)中产生的辐射。金属电流接片(6)安置在接触沟道(4)中并且设置用于沿着接触沟道(4)引导电流以及为第一半导体区域(21)通电。第一镜层(51)从接触沟道(4)起经过有源层(22)伸展至第二半导体区域(23)的背离衬底(3)的侧上。存在接触层(7),用于将电流直接注入到第一半导体区域(21)中并且与电流接片(6)直接接触。
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