Invention Grant
- Patent Title: 芯片崩边缺陷检测方法
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Application No.: CN201711488665.1Application Date: 2017-12-29
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Publication No.: CN109991232BPublication Date: 2022-02-15
- Inventor: 张凯 , 张鹏黎 , 马溯
- Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区张东路1525号
- Assignee: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
- Current Assignee: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区张东路1525号
- Agency: 上海思微知识产权代理事务所
- Agent 屈蘅; 李时云
- Main IPC: G01N21/88
- IPC: G01N21/88

Abstract:
本发明提供一种芯片崩边缺陷检测方法,通过定义处方,标定了芯片参考图像中密封环相对于所述参考芯片标识的位置,对芯片表面进行扫描检测,利用图像处理算法,实现对芯片崩边缺陷的有效判定,解决了现有的自动光学检测设备在芯片边缘完整性检测中无法准确判定芯片是否失效,产生大量的误判缺陷的问题。进一步的,在检测芯片崩边缺陷的同时也对芯片密封环内区域的表面缺陷进行识别判定,而不需要针对芯片表面缺陷再新建处方程序进行再一次的扫描,实现对芯片密封环内表面缺陷的同步检测。
Public/Granted literature
- CN109991232A 芯片崩边缺陷检测方法 Public/Granted day:2019-07-09
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