Invention Grant
- Patent Title: 一种生产一氧化硅的多室卧式真空炉及一氧化硅制备方法
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Application No.: CN201811121933.0Application Date: 2018-09-26
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Publication No.: CN109210930BPublication Date: 2024-05-17
- Inventor: 刘柏男 , 罗飞 , 褚赓 , 陆浩
- Applicant: 溧阳天目先导电池材料科技有限公司 , 中国科学院物理研究所
- Applicant Address: 江苏省常州市溧阳市昆仑街道泓口路218号C幢132室(江苏中关村科技产业园内);
- Assignee: 溧阳天目先导电池材料科技有限公司,中国科学院物理研究所
- Current Assignee: 溧阳天目先导电池材料科技有限公司,中国科学院物理研究所
- Current Assignee Address: 江苏省常州市溧阳市昆仑街道泓口路218号C幢132室(江苏中关村科技产业园内);
- Agency: 北京慧诚智道知识产权代理事务所
- Agent 李楠
- Main IPC: F27B5/02
- IPC: F27B5/02 ; F27B5/04 ; F27B5/14 ; F27B5/06 ; C01B33/113

Abstract:
本发明实施例涉及一种生产一氧化硅的多室卧式真空炉及一氧化硅制备方法,多室卧式真空炉包括炉体、加热反应器、反应冷却装置、冷却收集器、收集冷却装置和抽真空装置;可移动半炉体与固定半炉体机械连接,使固定半炉体与可移动半炉体之间实现紧密贴合;固定半炉体内固设一个或多个加热反应器;反应冷却装置安装于固定半炉体的炉壁内,用以对固定半炉体的炉壁进行冷却降温;每个加热反应器均通过法兰连接一个冷却收集器,且法兰连接处通过密封圈密封;收集冷却装置设置在可移动半炉体的炉壁内,用以对可移动半炉体和冷却收集器进行冷却降温;抽真空装置分别与多个加热反应器和冷却收集器相连通,用以对加热反应器和冷却收集器内进行抽真空。
Public/Granted literature
- CN109210930A 一种生产一氧化硅的多室卧式真空炉及一氧化硅制备方法 Public/Granted day:2019-01-15
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