Invention Publication
CN109065642A 光伏多晶电池制备工艺方法
无效 - 驳回
- Patent Title: 光伏多晶电池制备工艺方法
- Patent Title (English): A manufacture process of photovoltaic polycrystalline cell
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Application No.: CN201810797853.0Application Date: 2018-07-19
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Publication No.: CN109065642APublication Date: 2018-12-21
- Inventor: 许成德 , 陈健生 , 董方 , 郑正明 , 厉文斌
- Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
- Applicant Address: 浙江省金华市东阳市横店工业区
- Assignee: 横店集团东磁股份有限公司
- Current Assignee: 横店集团东磁股份有限公司
- Current Assignee Address: 浙江省金华市东阳市横店工业区
- Agency: 杭州杭诚专利事务所有限公司
- Agent 尉伟敏
- Main IPC: H01L31/0216
- IPC: H01L31/0216 ; H01L31/18

Abstract:
本发明公开了一种光伏多晶电池制备工艺方法,包括如下步骤:先将多晶硅片依次进行清洗制绒、扩散制结和湿法刻蚀操作;将湿法刻蚀后的多晶硅片放进热氧化设备中,进行制备,使多晶硅片表面形成氧化层膜;采用镀膜设备,在上一步骤中形成的氧化层膜基础上,沉积多层减反射薄膜;将从上一步骤中所得的多晶硅片,进行印刷电极和烧结处理,并制成光伏多晶电池片;将上一步骤中制成的光伏多晶电池片经过电注入设备处理;将经电注入处理后的光伏多晶电池片,进行电性能效率以及光衰数据测试。本发明具有能够提高光伏多晶电池转换效率的特点。
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