一种用以避免或减少极紫外线引发的材料性质变化(比如层状物厚度较小)的系统半导体装置的形成方法，包括：进行一或多道热处理以至少部份地稳定化形成于基板上的材料层的材料，之后再进行光刻工艺的极紫外线(比如波长介于约124nm至约10nm)曝光。此系统方法在极紫外线光刻图案化之前进行热处理，可降低材料层中的平均应力(包含压缩应力与拉伸应力)，使其接近零应力，释放表面的累积电荷，以及帮助结构重组。热处理可包含一或多道回火工艺、紫外线处理、离子注入、离子轰击、等离子体处理、表面烘烤处理、表面涂布处理、表面灰化处理、或脉冲激光处理。