Invention Grant
- Patent Title: 垂直JFET及其制造方法
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Application No.: CN201680051802.2Application Date: 2016-07-12
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Publication No.: CN108028203BPublication Date: 2022-01-04
- Inventor: 李中达 , 阿努普·巴拉
- Applicant: 美国联合碳化硅公司
- Applicant Address: 美国新泽西州
- Assignee: 美国联合碳化硅公司
- Current Assignee: 美国联合碳化硅公司
- Current Assignee Address: 美国新泽西州
- Agency: 北京集佳知识产权代理有限公司
- Agent 王萍; 陈炜
- Priority: 14/798,631 20150714 US
- International Application: PCT/US2016/041828 2016.07.12
- International Announcement: WO2017/011425 EN 2017.01.19
- Date entered country: 2018-03-07
- Main IPC: H01L21/337
- IPC: H01L21/337 ; H01L29/808 ; H01L29/06 ; H01L29/16 ; H01L29/10
Abstract:
通过使用有限数目的掩模的过程来制造垂直JFET。第一掩模用于同时在有源单元区域和终止区域中形成台面和沟槽。无掩模自对准工艺用于形成硅化物源极接触部和栅极接触部。第二掩膜用于为接触部开设窗口。第三掩模用于将覆盖金属化部图案化。可选的第四掩模用于将钝化部图案化。沟道通过成角度注入被掺杂，并且有源单元区域中的沟槽和台面的宽度可以可选地与终止区域中的沟槽和台面的宽度不同。
Public/Granted literature
- CN108028203A 垂直JFET及其制造方法 Public/Granted day:2018-05-11
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IPC分类:
