一种集成电路，包含由多个磁性OTP存储单元所形成的磁性OTP存储器阵列，磁性OTP存储单元具有包含固定磁性层、隧道势垒绝缘层、自由磁性层和第二电极的MTJ堆叠。当跨越磁性OTP存储单元施加电压时，MTJ堆叠和栅控晶体管的电阻形成分压器，以在MTJ堆叠上施加大电压让隧道势垒层击穿，而使固定层短路于自由层。集成电路具有多个MRAM阵列，其被配置为使得多个MRAM阵列中的每一个的性能和密度标准匹配于基于MOS晶体管的存储器，包括SRAM、DRAM和闪存存储器。集成电路可包括与磁性OTP存储器阵列连接的功能逻辑单元和用于提供数字数据储存的MRAM阵列。