Invention Grant
- Patent Title: 导电结构体以及包括该导电结构体的电子器件
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Application No.: CN201680015766.4Application Date: 2016-03-16
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Publication No.: CN107405875BPublication Date: 2019-06-18
- Inventor: 金秀珍 , 金容赞 , 金起焕
- Applicant: 株式会社LG化学
- Applicant Address: 韩国首尔
- Assignee: 株式会社LG化学
- Current Assignee: 株式会社LG化学
- Current Assignee Address: 韩国首尔
- Agency: 北京鸿元知识产权代理有限公司
- Agent 王楠楠; 李静
- Priority: 10-2015-0036104 2015.03.16 KR
- International Application: PCT/KR2016/002670 2016.03.16
- International Announcement: WO2016/148515 KO 2016.09.22
- Date entered country: 2017-09-14
- Main IPC: B32B15/04
- IPC: B32B15/04 ; H01B5/14
Abstract:
本发明提供一种导电结构体以及包括该导电结构体的电子器件。所述导电结构体包括第一铪氧化物层、金属层、第二铪氧化物层并且满足数学式1：[数学式1]
Public/Granted literature
- CN107405875A 导电结构体以及包括该导电结构体的电子器件 Public/Granted day:2017-11-28
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