Invention Grant
- Patent Title: 半导体装置和半导体装置的制造方法
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Application No.: CN201710152563.6Application Date: 2017-03-15
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Publication No.: CN107204370BPublication Date: 2022-01-04
- Inventor: 长尾佳介 , 森田健士
- Applicant: 艾普凌科有限公司
- Applicant Address: 日本千叶县
- Assignee: 艾普凌科有限公司
- Current Assignee: 艾普凌科有限公司
- Current Assignee Address: 日本长野县
- Agency: 北京三友知识产权代理有限公司
- Agent 李辉; 邓毅
- Priority: 2016-052841 20160316 JP
- Main IPC: H01L29/78
- IPC: H01L29/78 ; H01L23/60 ; H01L29/06 ; H01L21/336
Abstract:
本发明提供半导体装置和半导体装置的制造方法。该半导体装置形成有以覆盖漏扩散层(107)的方式到达栅氧化膜下的电场缓和用的第2导电型低浓度扩散层(101)，其特征在于，在所述电场缓和用的第2导电型低浓度扩散层(101)中配置第2导电型中浓度扩散层(102)，而且，通过尽可能地抑制热处理而将高浓度且结构变动小的第2导电型高浓度扩散层(103)配置在所述第2导电型中浓度扩散层中。
Public/Granted literature
- CN107204370A 半导体装置和半导体装置的制造方法 Public/Granted day:2017-09-26
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IPC分类:
