Invention Grant
- Patent Title: 发光二极管及其制造方法以及制造发光二极管模块的方法
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Application No.: CN201710165974.9Application Date: 2013-06-14
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Publication No.: CN107134519BPublication Date: 2019-02-15
- Inventor: 蔡钟炫 , 张钟敏 , 卢元英 , 徐大雄 , 姜珉佑 , 李俊燮 , 金贤儿
- Applicant: 首尔伟傲世有限公司
- Applicant Address: 韩国京畿道安山市
- Assignee: 首尔伟傲世有限公司
- Current Assignee: 首尔伟傲世有限公司
- Current Assignee Address: 韩国京畿道安山市
- Agency: 北京铭硕知识产权代理有限公司
- Agent 刘灿强; 尹淑梅
- Priority: 10-2012-0070129 2012.06.28 KR
- Main IPC: H01L33/40
- IPC: H01L33/40 ; H01L33/46 ; H01L33/38 ; H01L33/44

Abstract:
提供一种其中通过保护绝缘层限定的构造成包围反射金属层的导电阻挡层的发光二极管(LED)及其制造方法。包括反射金属层和导电阻挡层的反射图案形成在其中形成有第一半导体层、活性层和第二半导体层的发光结构上。在形成工艺过程中,导电阻挡层防止反射金属层的扩散,并且延伸至凹进到具有外伸结构的光刻胶图案下方的保护绝缘层。由此防止导电阻挡层与具有外伸结构的光刻胶图案的侧壁形成接触以及反射金属层形成尖端的现象。由此可以制造出具有各种不同形状的LED模块。
Public/Granted literature
- CN107134519A 发光二极管及其制造方法以及制造发光二极管模块的方法 Public/Granted day:2017-09-05
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IPC分类: