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Invention Publication
CN106784084A 一种基于正三棱锥结构的高透过率透光板 无效 - 驳回

一种基于正三棱锥结构的高透过率透光板
Abstract:
本发明涉及一种基于正三棱锥结构的高透过率透光板，包括玻璃板，该玻璃板的表面设置有多个可吸收太阳光的微纳单元，所述微纳单元为正三棱锥结构，所述微纳单元的底边长度为0.05‑0.5um，所述微纳单元的高度大于底边长度的0.3倍。本发明提供的透光板，可以有效地提高入射电磁波的透过率，提高太阳能电池的光电转化率。
Abstract(English):

The invention relates to a high transmittance light transmitting plate based on a regular triangular pyramid structure. The plate comprises a glass plate. Multiple micro nano units capable of adsorbing sun light are arranged on the surface of the glass plate. Each of the micro nano unit is a regular triangular pyramid structure. The length of the bottom edge of each micro nano unit is 0.05-0.5[mu]m. The height of each micro nano unit is 0.3 times larger than the length of the bottom edge. According to the invention, the transmittance of incident electromagnetic waves can be effectively improved and photoelectric conversion rate of a solar cell can be improved.

IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00）
H01L31/04 .用作光伏〔PV〕转换器件（制造中其测试入H01L21/66；制造之后其测试入H02S50/10）
H01L31/042 ..单个光伏电池的光伏模块或者阵列（用于光伏模块的支撑结构入H02S20/00）
H01L31/048 ...模块的封装
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