半导体装置及其制造方法

Invention Grant

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Patent Title: 半导体装置及其制造方法
Application No.: CN201480029861.0

Application Date: 2014-03-27
Publication No.: CN105247666B

Publication Date: 2017-12-01
Inventor: 山崎浩次 , 荒木健
Applicant: 三菱电机株式会社
Applicant Address: 日本东京
Assignee: 三菱电机株式会社
Current Assignee: 三菱电机株式会社
Current Assignee Address: 日本东京
Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
Agent 金春实
Priority: 2013-144181 2013.07.10 JP
International Application: PCT/JP2014/058852 2014.03.27
International Announcement: WO2015/004956 JA 2015.01.15
Date entered country: 2015-11-24
Main IPC: H01L21/52
IPC: H01L21/52 ; B23K20/00 ; B23K35/14

Abstract:

本发明的目的在于在将接合对象物之间接合了的接合部处，形成空隙少的高熔点的金属间化合物。本发明的半导体装置(30)的特征在于，具备在形成于安装基板(电路基板(12))的第一Ag层(4)与形成于半导体元件(9)的第二Ag层(10)之间挟持了的合金层(13)，合金层(13)具有由第一Ag层(4)以及第二Ag层(10)的Ag成分和Sn形成了的Ag3Sn的金属间化合物，包含Ag的多根导线(5)从该合金层(13)的外周侧延伸地配置。

Abstract(English):

A semiconductor device includes, an alloy layer sandwiched between a first Ag layer formed on a mounting board or circuit board and a second Ag layer formed on a semiconductor element, wherein the alloy layer contains an intermetallic compound of Ag3Sn formed by Ag components of the first Ag layer and the second Ag layer and Sn, and wherein a plurality of wires containing Ag are arranged extended from an outside-facing periphery of the alloy layer.

Public/Granted literature

CN105247666A 半导体装置及其制造方法 Public/Granted day:2016-01-13

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50	...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/52	....半导体在容器中的安装