Invention Grant
- Patent Title: 一种负载到基材上的去合金法获得纳米多孔银的方法
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Application No.: CN201510531888.6Application Date: 2015-08-25
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Publication No.: CN105112958BPublication Date: 2017-09-26
- Inventor: 崔国峰 , 林图强
- Applicant: 中山大学 , 广州丰江微电子有限公司
- Applicant Address: 广东省广州市海珠区新港西路135号;
- Assignee: 中山大学,广州丰江微电子有限公司
- Current Assignee: 中山大学,广州丰江微电子有限公司
- Current Assignee Address: 广东省广州市海珠区新港西路135号;
- Agency: 广州嘉权专利商标事务所有限公司
- Agent 胡辉
- Main IPC: C25D3/56
- IPC: C25D3/56 ; C25D3/60 ; C25D5/48

Abstract:
本发明公开了一种负载到基材上的去合金法获得纳米多孔银的方法,包括以下步骤:1)在导电基材表面电镀一层银锡合金;2)去除银锡合金中的锡,得到纳米多孔银。或者,包括步骤:1)将绝缘基材表面进行表面导电化处理;2)在经过导电化处理的表面电镀一层银锡合金;3)去除银锡合金中的锡,得到纳米多孔银。本发明可以在导电基材与绝缘体基材上制备纳米多孔银,该纳米多孔银具备分布均匀的孔洞结构,在电化学传感器和生物活性传感器上有潜在的应用前景。
Public/Granted literature
- CN105112958A 一种负载到基材上的去合金法获得纳米多孔银的方法 Public/Granted day:2015-12-02
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