Invention Grant
- Patent Title: 具有接线键合过孔的微电子封装体及其制作方法以及用于微电子封装体的加强层
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Application No.: CN201480019865.0Application Date: 2014-01-31
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Publication No.: CN105074914BPublication Date: 2018-06-01
- Inventor: P·达姆博格 , 赵志军 , E·乔 , R·阿拉托瑞
- Applicant: 伊文萨思公司
- Applicant Address: 美国加利福尼亚州
- Assignee: 伊文萨思公司
- Current Assignee: 伊文萨思公司
- Current Assignee Address: 美国加利福尼亚州
- Agency: 北京市金杜律师事务所
- Agent 酆迅
- Priority: 13/757,677 2013.02.01 US
- International Application: PCT/US2014/014181 2014.01.31
- International Announcement: WO2014/121090 EN 2014.08.07
- Date entered country: 2015-09-30
- Main IPC: H01L23/498
- IPC: H01L23/498 ; H01L21/48

Abstract:
此处公开了微电子部件和形成这种微电子部件的方法。该微电子部件可以包括从基底12的键合表面30(诸如,在基底12的表面处的导电元件的表面)延伸的接线键合32形式的多个导电过孔。
Public/Granted literature
- CN105074914A 具有接线键合过孔的微电子封装体及其制作方法以及用于微电子封装体的加强层 Public/Granted day:2015-11-18
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IPC分类: