Invention Grant
CN103687977B 溅射用MgO靶材
失效 - 权利终止
- Patent Title: 溅射用MgO靶材
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Application No.: CN201280032640.XApplication Date: 2012-06-29
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Publication No.: CN103687977BPublication Date: 2016-08-17
- Inventor: 佐野聪 , 西村芳宽 , 渡边高行 , 加藤裕三 , 植木明 , 味富晋三 , 高巢正信 , 原勇介 , 田中敬章
- Applicant: 宇部材料工业株式会社 , 日本钨株式会社
- Applicant Address: 日本山口县
- Assignee: 宇部材料工业株式会社,日本钨株式会社
- Current Assignee: 宇部材料工业株式会社,日本钨株式会社
- Current Assignee Address: 日本山口县
- Agency: 北京三友知识产权代理有限公司
- Agent 丁香兰; 庞东成
- Priority: JP2011-147026 2011.07.01 JP; JP2012-011746 2012.01.24 JP
- International Application: PCT/JP2012/066789 2012.06.29
- International Announcement: WO2013/005690 JA 2013.01.10
- Date entered country: 2013-12-30
- Main IPC: C23C14/34
- IPC: C23C14/34 ; C04B35/04 ; G11B5/851
Abstract:
本发明提供一种溅射用MgO靶材，即使在使用MgO作为溅射用靶材的情况下，也能够在形成MgO膜时使成膜速度高速化。本发明的溅射用MgO靶材以MgO和导电性物质作为主要成分，其特征在于，所述导电性物质在通过DC溅射法与MgO一起成膜时，能够为所形成的MgO膜赋予取向性。
Public/Granted literature
- CN103687977A 溅射用MgO靶材 Public/Granted day:2014-03-26
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IPC分类:
