Invention Publication
- Patent Title: 半导电内屏蔽料组合物及半导电内屏蔽料及其制法和中低压及110千伏电缆
- Patent Title (English): Semi-conductive internal shielding material composition, semi-conductive internal shielding material and manufacturing method thereof, as well as medium and low-pressure and 110KV cable
-
Application No.: CN201210356531.5Application Date: 2012-09-21
-
Publication No.: CN103665529APublication Date: 2014-03-26
- Inventor: 赵和英 , 于涛 , 何震海
- Applicant: 中国石油化工股份有限公司
- Applicant Address: 北京市朝阳区朝阳门北大街22号
- Assignee: 中国石油化工股份有限公司
- Current Assignee: 中国石油化工股份有限公司,北京燕山石化高科技术有限责任公司
- Current Assignee Address: 北京市朝阳区朝阳门北大街22号
- Agency: 北京润平知识产权代理有限公司
- Agent 王凤桐; 周建秋
- Main IPC: C08L23/08
- IPC: C08L23/08 ; C08L33/08 ; C08L31/04 ; C08K13/02 ; C08K3/04 ; C08K5/25 ; C08K5/14 ; C08K5/20 ; C08J3/24 ; B29C47/92 ; H01B9/02

Abstract:
本发明涉及半导电内屏蔽料组合物,该组合物含有乙烯-丙烯酸丁酯共聚物、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、抗氧剂、交联剂、分散剂、润滑剂、抗铜剂和乙炔碳黑,其中,相对于100重量份的乙烯-丙烯酸酯,所述乙烯-醋酸乙烯酯共聚物的含量为50-65重量份;所述乙炔炭黑的含量为50-72重量份;所述抗氧剂的含量为0.1-1.5重量份;所述交联剂的含量为0.5-2.5重量份;所述分散剂的含量为1-10重量份;所述润滑剂的含量为1-12重量份;所述抗铜剂的含量为0.05-1.2重量份。本发明还涉及中低压和110千伏电缆用半导电内屏蔽料及其制法和中低压和110千伏电缆。本发明半导电内屏蔽料在挤出电缆时不会发生焦烧现象。
Public/Granted literature
- CN103665529B 半导电内屏蔽料组合物及半导电内屏蔽料及其制法和中低压及110千伏电缆 Public/Granted day:2016-03-30
Information query