Invention Publication
- Patent Title: 新的化合物半导体及其用途
- Patent Title (English): Novel compound semiconductor and usage for same
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Application No.: CN201280023009.3Application Date: 2012-05-11
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Publication No.: CN103534200APublication Date: 2014-01-22
- Inventor: 朴哲凞 , 金兑训
- Applicant: LG化学株式会社
- Applicant Address: 韩国首尔
- Assignee: LG化学株式会社
- Current Assignee: LG化学株式会社
- Current Assignee Address: 韩国首尔
- Agency: 北京鸿元知识产权代理有限公司
- Agent 黄丽娟; 陈英俊
- Priority: 10-2011-0045348 2011.05.13 KR; 10-2011-0045349 2011.05.13 KR; 10-2011-0049609 2011.05.25 KR; 10-2012-0050258 2012.05.11 KR
- International Application: PCT/KR2012/003732 2012.05.11
- International Announcement: WO2012/157909 KO 2012.11.22
- Date entered country: 2013-11-12
- Main IPC: C01B19/00
- IPC: C01B19/00 ; C01G15/00 ; C01G51/00 ; C01G30/00

Abstract:
本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体及其用途。根据本发明的化合物半导体可以由以下化学式1表示:InxMyCo4-m-aAmSb12-n-z-bXnTez,其中,在化学式1中,M是选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种;A是选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种;X是选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种;0
Public/Granted literature
- CN103534200B 化合物半导体及其用途 Public/Granted day:2017-02-08
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