Invention Grant
- Patent Title: 粉粒产生少的强磁性材料溅射靶
- Patent Title (English): Sputtering target of ferromagnetic material with low generation of particles
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Application No.: CN201080025681.7Application Date: 2010-09-30
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Publication No.: CN102482765BPublication Date: 2014-03-26
- Inventor: 荻野真一 , 佐藤敦 , 中村祐一郎 , 荒川笃俊
- Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: 吉坤日矿日石金属株式会社
- Current Assignee: 捷客斯金属株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京
- Agency: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- Agent 王海川; 穆德骏
- Priority: 2010-163296 2010.07.20 JP
- International Application: PCT/JP2010/067179 2010.09.30
- International Announcement: WO2012/011204 JA 2012.01.26
- Date entered country: 2011-12-09
- Main IPC: C23C14/34
- IPC: C23C14/34
Abstract:
本发明涉及一种强磁性材料溅射靶，包含Cr为20摩尔％以下、其余为Co的组成的金属，其特征在于，该靶组织具有金属基质(A)、以及在所述(A)中的含有90重量％以上的Co的扁平状相(B)，所述相(B)的平均粒径为10μm以上且150μm以下、并且平均短径长径比为1∶2～1∶10。本发明得到可以抑制溅射时粉粒的产生、并且可以提高漏磁通，从而通过磁控溅射装置可以稳定地放电的强磁性材料溅射靶。
Public/Granted literature
- CN102482765A 粉粒产生少的强磁性材料溅射靶 Public/Granted day:2012-05-30
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IPC分类:
