Invention Grant
CN102446991B 基于晶硅的薄膜太阳能电池及其制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 基于晶硅的薄膜太阳能电池及其制造方法
- Patent Title (English): Film solar battery based on crystalline silicon and manufacturing method thereof
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Application No.: CN201110417916.3Application Date: 2011-12-14
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Publication No.: CN102446991BPublication Date: 2014-08-13
- Inventor: 傅建明 , 杨瑞鹏
- Applicant: 杭州赛昂电力有限公司
- Applicant Address: 浙江省杭州市萧山区建设一路66号1104室
- Assignee: 杭州赛昂电力有限公司
- Current Assignee: 杭州赛昂电力有限公司
- Current Assignee Address: 浙江省杭州市萧山区建设一路66号1104室
- Agency: 北京集佳知识产权代理有限公司
- Agent 骆苏华
- Main IPC: H01L31/0352
- IPC: H01L31/0352 ; H01L31/077 ; H01L31/20

Abstract:
一种基于晶硅的薄膜太阳能电池及其制造方法。所述基于晶硅的薄膜太阳能电池包括:基板;依次位于基板一侧的第一I型半导体层、P型半导体层和第一电极;依次位于基板另一侧的第二I型半导体层、N型半导体层和第二电极;P型半导体层包括多个掺杂离子浓度不同的P型半导体子层,P型半导体子层按照掺杂离子浓度大小依次层叠设置,位于第一I型半导体层表面的P型半导体子层的掺杂离子浓度最小;N型半导体层包括多个掺杂离子浓度不同的N型半导体子层,N型半导体子层按照掺杂离子浓度大小依次层叠设置,位于第二I型半导体层表面的N型半导体子层的掺杂离子浓度最小。本发明可以提高薄膜太阳能电池的光电转换效率。
Public/Granted literature
- CN102446991A 基于晶硅的薄膜太阳能电池及其制造方法 Public/Granted day:2012-05-09
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IPC分类: