本发明公开了一种锗硅BICMOS工艺中垂直寄生型PNP三极管，在基区的周侧的浅槽场氧中形成一和基区相接触的槽，槽的深度小于等于基区的深度，在槽中填充有多晶硅并在多晶硅中掺入了N型杂质，由掺入N型杂质的多晶硅形成外基区，外基区和基区在基区的侧面相接触，在外基区上形成有金属接触并引出基极。本发明还公开了一种锗硅BICMOS工艺中垂直寄生型PNP三极管的制造方法。本发明能用作高速、高增益HBT电路中的输出器件，为电路提供多一种器件选择，能有效地缩小器件面积、减小器件的寄生效应、减小PNP管的集电极电阻、提高器件的性能；本发明方法无须额外的工艺条件，能够降低生产成本。