Invention Grant
- Patent Title: 包含抑制剂的无空隙亚微米结构填充用金属电镀组合物
- Patent Title (English): Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling
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Application No.: CN201080015460.1Application Date: 2010-03-29
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Publication No.: CN102369315BPublication Date: 2014-08-13
- Inventor: C·勒格尔-格普费特 , R·B·雷特尔 , C·埃姆内特 , A·哈格 , D·迈耶
- Applicant: 巴斯夫欧洲公司
- Applicant Address: 德国路德维希港
- Assignee: 巴斯夫欧洲公司
- Current Assignee: 巴斯夫欧洲公司
- Current Assignee Address: 德国路德维希港
- Agency: 北京市中咨律师事务所
- Agent 刘金辉; 林柏楠
- Priority: 09157542.3 2009.04.07 EP; 61/256329 2009.10.30 US
- International Application: PCT/EP2010/054108 2010.03.29
- International Announcement: WO2010/115756 EN 2010.10.14
- Date entered country: 2011-09-29
- Main IPC: C25D3/38
- IPC: C25D3/38 ; C23C18/31 ; C23C18/32 ; H01L21/288 ; H05K3/18 ; H05K3/24 ; C25D3/58 ; C25D7/12
Abstract:
本发明涉及一种包含金属离子源和至少一种抑制剂的组合物，所述抑制剂可通过使a)包含活性氨官能团的胺化合物与b)氧化乙烯与至少一种选自C3和C4氧化烯的化合物的混合物反应而获得，所述抑制剂具有6000g/mol或更高的分子量Mw。
Public/Granted literature
- CN102369315A 包含抑制剂的无空隙亚微米结构填充用金属电镀组合物 Public/Granted day:2012-03-07
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