Invention Grant
- Patent Title: 使用相变器件的三元内容可寻址存储器
- Patent Title (English): TERNARY CONTENT ADDRESSABLE MEMORY USING PHASE CHANGE DEVICES
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Application No.: CN201080010880.0Application Date: 2010-01-26
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Publication No.: CN102341863BPublication Date: 2014-08-13
- Inventor: C·H·拉姆 , R·K·蒙托耶 , B·拉詹德朗 , B·季
- Applicant: 国际商业机器公司
- Applicant Address: 美国纽约阿芒克
- Assignee: 国际商业机器公司
- Current Assignee: 格芯美国第二有限责任公司
- Current Assignee Address: 美国纽约阿芒克
- Agency: 北京市金杜律师事务所
- Agent 吴立明
- Priority: 12/399,346 2009.03.06 US
- International Application: PCT/EP2010/050862 2010.01.26
- International Announcement: WO2010/100000 EN 2010.09.10
- Date entered country: 2011-09-06
- Main IPC: G11C15/04
- IPC: G11C15/04

Abstract:
一种内容可寻址存储器器件,具有存储高、低和随意这些三元数据值的多个存储器单元。内容可寻址存储器器件的一个方面在于存储器单元中的第一存储器元件和第二存储器元件的使用。第一存储器元件和第二存储器元件在并联电路中电耦合到匹配线。第一存储器元件耦合到第一字线,第二存储器元件耦合到第二字线。第一存储器元件配置用于在三元数据值为低的情况下存储低阻态以及在三元数据值为高或者随意的情况下存储高阻态。第二存储器元件配置用于在三元数据值为高的情况下存储低阻态,以及在三元数据值为低或者随意的情况下存储高阻态。
Public/Granted literature
- CN102341863A 使用相变器件的三元内容可寻址存储器 Public/Granted day:2012-02-01
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