Invention Grant
CN102175603B 一种测量硅片键合强度的微结构及其制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种测量硅片键合强度的微结构及其制造方法
- Patent Title (English): Microstructure for measuring bonding strength of silicon slice and manufacturing method of microstructure
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Application No.: CN201110055917.8Application Date: 2011-03-09
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Publication No.: CN102175603BPublication Date: 2012-12-19
- Inventor: 秦明 , 康兴华 , 胡尔同
- Applicant: 东南大学
- Applicant Address: 江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号
- Assignee: 东南大学
- Current Assignee: 东南大学
- Current Assignee Address: 江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号
- Agency: 南京天翼专利代理有限责任公司
- Agent 汤志武
- Main IPC: G01N19/04
- IPC: G01N19/04

Abstract:
一种测量硅片键合强度的微结构及其制造方法,包括衬底硅片、结构硅片,在所述结构硅片一面设置有键合区域、支撑点,另一面设置有加力点,所述支撑点设置在键合区域和加力点之间,所述衬底硅片和结构硅片通过键合区域键合成一体。制造这种微结构的方法,包括以下步骤:步骤1,对结构硅片表面进行氧化,形成腐蚀阻挡层,然后光刻所述腐蚀阻挡层,形成腐蚀窗口,再用腐蚀液将结构硅片腐蚀2微米至200微米深度;步骤2,将衬底硅片和结构硅片通过硅直接键合工艺键合成一体。本发明的微结构结构简单,设置灵活,操作方便。
Public/Granted literature
- CN102175603A 一种测量硅片键合强度的微结构及其制造方法 Public/Granted day:2011-09-07
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