• Patent Title: 一种测量硅片键合强度的微结构及其制造方法
  • Patent Title (English): Microstructure for measuring bonding strength of silicon slice and manufacturing method of microstructure
  • Application No.: CN201110055917.8
    Application Date: 2011-03-09
  • Publication No.: CN102175603B
    Publication Date: 2012-12-19
  • Inventor: 秦明康兴华胡尔同
  • Applicant: 东南大学
  • Applicant Address: 江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号
  • Assignee: 东南大学
  • Current Assignee: 东南大学
  • Current Assignee Address: 江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号
  • Agency: 南京天翼专利代理有限责任公司
  • Agent 汤志武
  • Main IPC: G01N19/04
  • IPC: G01N19/04
一种测量硅片键合强度的微结构及其制造方法
Abstract:
一种测量硅片键合强度的微结构及其制造方法,包括衬底硅片、结构硅片,在所述结构硅片一面设置有键合区域、支撑点,另一面设置有加力点,所述支撑点设置在键合区域和加力点之间,所述衬底硅片和结构硅片通过键合区域键合成一体。制造这种微结构的方法,包括以下步骤:步骤1,对结构硅片表面进行氧化,形成腐蚀阻挡层,然后光刻所述腐蚀阻挡层,形成腐蚀窗口,再用腐蚀液将结构硅片腐蚀2微米至200微米深度;步骤2,将衬底硅片和结构硅片通过硅直接键合工艺键合成一体。本发明的微结构结构简单,设置灵活,操作方便。
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