Invention Grant
CN102060298B 一种多晶硅生产装置及多晶硅生产方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种多晶硅生产装置及多晶硅生产方法
- Patent Title (English): Polycrystalline silicon production device and method
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Application No.: CN201010559873.8Application Date: 2010-11-23
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Publication No.: CN102060298BPublication Date: 2013-01-09
- Inventor: 任兆杏 , 任炟 , 刘静
- Applicant: 合肥飞帆等离子科技有限公司
- Applicant Address: 安徽省合肥市高新区长江西路2221号省循环经济院A座408室
- Assignee: 合肥飞帆等离子科技有限公司
- Current Assignee: 合肥飞帆等离子科技有限公司
- Current Assignee Address: 安徽省合肥市高新区长江西路2221号省循环经济院A座408室
- Agency: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司
- Agent 余成俊
- Main IPC: C01B33/03
- IPC: C01B33/03
Abstract:
本发明公开了一种多晶硅生产装置，包括多晶硅固化接收容器，微波表面波等离子体炬，多晶硅固化接收容器接收微波表面波等离子体炬生成的多晶硅。本发明还公开了一种多晶硅生产方法，采用SiHCl3蒸汽和H2气体作为原料反应物，通过微波表面波等离子体炬对原料反应物放电以加热介质管中的原料反应物，生成的硅在多晶硅固化接收容器中冷却而固化得到多晶硅。
Public/Granted literature
- CN102060298A 一种多晶硅生产装置及多晶硅生产方法 Public/Granted day:2011-05-18
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IPC分类:
