本发明涉及一种半导体激光器。该半导体激光器包括：多个带状脊，这些带状脊隔着带状沟槽相互平行地布置，各带状脊至少依次包括下披覆层、活性层和上披覆层；上电极，其形成在所述各脊的顶面上，电连接至所述上披覆层；布线层，其电连接至所述上电极，布置在至少所述沟槽上方的中空处；及焊盘电极，其形成在从侧面将所述脊和所述沟槽夹在中间的两个区域中的至少一个区域中，经由所述布线层电连接至所述上电极，其中，所述沟槽上方的部分中的所述布线层具有平坦形状或向所述沟槽凹陷的凹形形状。即使在大温差的恶劣环境下，该半导体激光器也能减小布置在中空处的布线层破裂的可能性。