高压VDMOS器件结构及其制造方法

Invention Grant

CN101950760B 高压VDMOS器件结构及其制造方法有权

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Patent Title: 高压VDMOS器件结构及其制造方法
Patent Title (English): High-voltage VDMOS (Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor) device structure and manufacturing method thereof
Application No.: CN201010277296.3

Application Date: 2010-09-09
Publication No.: CN101950760B

Publication Date: 2013-09-18
Inventor: 张邵华 , 李敏 , 张凤爽
Applicant: 杭州士兰微电子股份有限公司
Applicant Address: 浙江省杭州市黄姑山路4号
Assignee: 杭州士兰微电子股份有限公司
Current Assignee: 杭州士兰微电子股份有限公司
Current Assignee Address: 浙江省杭州市黄姑山路4号
Main IPC: H01L29/78
IPC: H01L29/78 ; H01L29/10 ; H01L21/336

Abstract:

本发明提出的高压VDMOS器件结构在原有的VDMOS器件上增加栅极电阻，从而增强VDMOS器件的栅极抗电流冲击能力，大大增加对VDMOS器件栅极的保护，该器件结构简单，简化设计复杂度。同时本发明提出的高压VDMOS器件的制造方法可以在原有的工艺基础上实现，不需要改动工艺，制造简单。

Public/Granted literature

CN101950760A 高压VDMOS器件结构及其制造方法 Public/Granted day:2011-01-19

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的