Invention Grant
CN101885509B 一种纳米CuInS2的制备方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种纳米CuInS2的制备方法
- Patent Title (English): Method for preparing nanometer CuInS2
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Application No.: CN201010235002.0Application Date: 2010-07-23
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Publication No.: CN101885509BPublication Date: 2013-01-09
- Inventor: 武四新 , 陈星 , 庞山
- Applicant: 河南大学
- Applicant Address: 河南省开封市明伦街85号
- Assignee: 河南大学
- Current Assignee: 河南大学
- Current Assignee Address: 河南省开封市明伦街85号
- Agency: 郑州联科专利事务所
- Agent 刘建芳
- Main IPC: C01G15/00
- IPC: C01G15/00
Abstract:
本发明属于光电材料新能源领域，特别涉及一种纳米CuInS2的制备方法。以邻苯二甲酸二辛酯为溶剂，在表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵作用下，分别以乙酰丙酮合铜Cu(acac)2、乙酰丙酮铟、硫代乙酰胺作为铜源、铟源、硫源于常压下进行反应制备CuInS2。本发明纳米CuInS2的制备方法成本低、易操作，为工业上大规模合成提供了一个新的途径。
Public/Granted literature
- CN101885509A 一种纳米CuInS2的制备方法 Public/Granted day:2010-11-17
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IPC分类:
