Invention Grant
CN101770162B 背侧相栅掩模及其制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 背侧相栅掩模及其制造方法
- Patent Title (English): Backside phase grating mask and method for manufacturing the same
-
Application No.: CN200910160237.5Application Date: 2009-07-30
-
Publication No.: CN101770162BPublication Date: 2012-09-05
- Inventor: 吴宬贤 , 南炳虎
- Applicant: 海力士半导体有限公司
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 海力士半导体有限公司
- Current Assignee: 海力士半导体有限公司
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 彭久云
- Priority: 134826/08 2008.12.26 KR
- Main IPC: G03F1/30
- IPC: G03F1/30

Abstract:
本发明提供一种背侧相栅掩模及其制造方法。该掩模包括形成在基板前侧上的掩模图案以及形成在基板背侧上的相栅。掩模图案对应于斜图案的布局,该斜图案沿从直角坐标系的轴朝向预定方向旋转的方向延伸。相栅的延伸方向平行于所述掩模图案的延伸方向。相栅包括交替设置在基板背侧上的第一相区和第二相区,第一相区和第二相区之间具有180°的相差。第一相区和第二相区导致阻挡入射到基板的曝光光的零级光且允许初级光入射到掩模图案的相干涉。
Public/Granted literature
- CN101770162A 背侧相栅掩模及其制造方法 Public/Granted day:2010-07-07
Information query