Invention Grant
- Patent Title: 静电放电保护电路及其方法
- Patent Title (English): Esd protection circuit and method thereof
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Application No.: CN200810180437.2Application Date: 2008-11-27
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Publication No.: CN101540503BPublication Date: 2013-01-09
- Inventor: 林奕成
- Applicant: 联发科技股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹科学工业园区新竹市笃行一路一号
- Assignee: 联发科技股份有限公司
- Current Assignee: 联发科技股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹科学工业园区新竹市笃行一路一号
- Agency: 北京万慧达知识产权代理有限公司
- Agent 葛强; 张一军
- Priority: 12/050,175 2008.03.18 US
- Main IPC: H02H9/04
- IPC: H02H9/04 ; H01L23/60

Abstract:
本发明提供一种静电放电保护电路及其方法。上述静电放电保护电路包括第一保护电路及第二保护电路。第一保护电路具有直接耦接于电源连接垫与接地连接垫之间的低压元件;第二保护电路具有直接耦接于电源连接垫与接地连接垫之间的高压元件,其中该第一保护电路和该第二保护电路并联于该电源连接垫与该接地连接垫之间,该高压元件和该低压元件是由多个参数之一或该多个参数中的任意组合来定义,该多个参数包括晶体管的阈值电压、晶体管的栅极氧化层厚度、晶体管的结击穿电压、晶体管的阱掺杂密度及晶体管的静态漏电流。
Public/Granted literature
- CN101540503A 静电放电保护电路及其方法 Public/Granted day:2009-09-23
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