Invention Grant
CN101421674B 微光刻照射系统,包括这种照射系统的投影曝光设备
失效 - 权利终止
- Patent Title: 微光刻照射系统,包括这种照射系统的投影曝光设备
- Patent Title (English): Microlithographic illumination system, projection exposure apparatus comprising an illumination system of this type
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Application No.: CN200780013561.3Application Date: 2007-02-16
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Publication No.: CN101421674BPublication Date: 2013-06-12
- Inventor: M·德京特 , M·莱 , M·格哈德 , B·托默 , W·辛格
- Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
- Applicant Address: 德国上科亨
- Assignee: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
- Current Assignee: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
- Current Assignee Address: 德国上科亨
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 邱军
- Priority: 60/774,850 2006.02.17 US; 60/823,296 2006.08.23 US; 102006042452.2 2006.09.09 DE; 102006061711.8 2006.12.28 DE
- International Application: PCT/EP2007/001362 2007.02.16
- International Announcement: WO2007/093433 DE 2007.08.23
- Date entered country: 2008-10-15
- Main IPC: G03F7/20
- IPC: G03F7/20

Abstract:
一种微光刻照射系统(5),用于照射照射场(3)。优选使用的光分布装置(9,10)在第一照射平面(11)中产生二维强度分布。光学光栅元件的第一光栅阵列(12)产生二次光源的光栅阵列。具有附加光学效应的装置被空间相邻地分配给两个光栅阵列(12;16),其中所述装置可被配置为照射角度变化装置(14)。所述具有附加光学效应的装置(14)影响照射光(8)的强度和/或相位和/或光束方向特性。所述影响使得光栅元件(23、28)对于总照射强度的强度贡献在整个照射场(3)上变化。这使得相对于总照射强度和/或相对于来自不同照射方向的强度贡献以限定的方式在整个照射场上影响照射强度。
Public/Granted literature
- CN101421674A 微光刻照射系统,包括这种照射系统的投影曝光设备 Public/Granted day:2009-04-29
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